Graphen es ist eine einzige Schicht von Graphit. Ein paar-Schicht-Graphen hat sich in seinen elektronischen Eigenschaften als hochkristallin und halbmetallisch erwiesen. Das atomar flache hat sich als ambipolar mit einer kleinen Überlappung zwischen Valenz- und Leitungsband erwiesen -dimensionale Graphenfolie wird zu einer eindimensionalen Graphenfolie reduziert, die zu einem eindimensionalen Graphen-Baborband (gnr) reduziert wird, da Graphenbreite sowohl Quanteneinschluss- als auch Kanteneffekte absenkt. Im Gegensatz zu Ohruntersuchungen, die auf die elektronischen Eigenschaften hindeuten Von den GnRs waren Energielücken in allen Grn. Die Rechnungen wurden mit einem 12-14fusionierten aromatischen Ringsystem durchgeführt, und die Breiten der Gnrs betrugen ~ 3 nm.
Die sehr hohe Mobilität, Gate-Spannung-gesteuerte Elektronen- oder Lochträger und abstimmbare Bandlücke legen nahe, dass Gnps für nanoskalige Elektronen ideal sein können und haben großes Interesse an der großtechnischen Synthese von GnRs geweckt Im Vergleich zu den Fällen, in denen ein Drittel der Nanoröhren metallisch sein sollte, kann diese intrinsische semikonduktive Natur von GnRs die Bevorzugung von schnellen Halbleiter-Hochleistungs-Nanobauelementen erheblich vereinfachen. Kürzlich wurde eine Synthese in relativ großem Maßstab unter Verwendung eines ähnlichen Verfahrens realisiert Das Verfahren beginnt mit der Exfolierung von expandierbarem Graphit, der durch Interkalation von Graphitflocken mit einer Graphitgrße von 350 \u0026 mgr; m mit Schwefelsäure und Nitridsäure bei 1000 ° C in Formiergas für 1 min hergestellt wurde, Ultraschallbehandlung des resultierenden exfoliierten Materials in 1,2-Dichlorethan Lösung von Polyto dispergiert die Gnrs und zentrifugiert die Suspension und wenige Schichten Graphen-Bänder und Blätter.
Die Messung der Transpots ergab, dass alle Sub-10nm-Kristalle Halbleiter waren. Kürzlich berichteten zwei Artikel über ein langgestrecktes Entpacken von Zinn, wobei schmale und gleichmäßige Kristalle erzeugt wurden. Das erste suspendierte in konzentrierter Schwefelsäure, gefolgt von klassischer Kaliumpermanganatoxidation, die c = c angriff Um die elektrische Leitfähigkeit wieder herzustellen, ist ein chemischer Reduktionsschritt erforderlich. Der zweite begann ebenfalls mit Mikrowellen, wurde aber über einen Si-Wafer verteilt und mit Poly beschichtet. Die eingebettete PMMA wurde abgezogen und einem Plasma ausgesetzt, das geätzt wurde Ein Teil der mwnts layer.gnrs mit einer Breite von weniger als 10 nm wurde präpariert und legt nahe, dass großflächige, gut ausgerichtete Halbleiternanoden für praktische Anwendungen möglich sein könnten.
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