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Neues leitendes Material Nickel Nanodres Ninws Hongwu Nickel Nanodres haben ein breites Spektrum möglicher Anwendungen in elektronischen Materialien, Katalyse, Polymeren, magnetischer Lagerung Ultra-High Dichteaufzeichnungsmaterialien, Sensoren und Selbstschmierende Materialien. more
transparentes kolloidales ag antibakterielles Nanosilberkolloid ag ( antibakterielles Nanosilberkolloid ) wurde w Alle bekannten antibakteriellen, antiviralen und antimykotischen Eigenschaften werden durch kleine Partikelgröße und große Oberfläche verbessert. more
Nanosilikapartikel, die in Epoxidharz verwendet werden, superhydrophobe Beschichtung aus Nanosilikapulver Nanosilikapartikel, 20-30 nm, Reinheit 99,8%, weit verbreitet in Kunstharz und superhydrophoben Beschichtungen. more
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Unter Thermochromie versteht man das Phänomen, dass ein Material bei Temperaturänderungen seine Farbe ändert. Diese Veränderung wird normalerweise durch Veränderungen in der elektronischen oder molekularen Struktur des Materials verursacht. Sein Anwe...
flexible Nanotube-Dünnschicht-Elektronikgeräte
Herkömmliche Mikrofabrikationstechniken oder Druckansätze können auf Kunststofffolien angewendet werden, um flexible Vorrichtungen und Schaltkreise zu bilden. Eine wichtige Komponente von Halbleitermaterialien sind die Gatedielektrika. Idealerweise sollten die Dielektrika hohe Kapazitäten für einen Betrieb mit niedriger Spannung und Hysterese bereitstellen, zusammen mit niedrigen Leckstromdichten für die Leistungseffizienz.
Abscheidungsverfahren, die mit flexiblen Kunststoffsubstraten kompatibel sind, können auch kritisch sein, abhängig von der Anwendung. Bestimmte Klassen dreidimensionaler vernetzter organischer Mehrfachschichten, die durch Selbstorganisationsprozesse bei Raumtemperatur gebildet werden, sind aufgrund der großen Kapazitäten, ausgezeichneten Isoliereigenschaften und Glätte attraktiv Oberflächenmorphologien.
die Hochkapazitätsdielektrika verringern auch den unterschwelligen Schwingungshub stark, was einen Betrieb bei einer Spannung ermöglicht, die sogar niedriger ist als diejenigen, die aus den Unterschieden in der Kapazität abgeleitet werden würden. Daher ist die Hysterese sowohl für p-Kanal- als auch für n-Kanal-Vorrichtungen, die auf Doppelschicht-Nanodielektrika oder organischen Mehrfachschichten aufgebaut sind, viel kleiner als die von Vorrichtungen auf weiter untersuchten Oxid- oder Polymerdielektrika, möglicherweise aufgrund einer Verringerung der elektrischen Felder in der Nähe der Halbleiter Ein Ergebnis der niedrigeren Betriebsspannung und weniger Fallen in Dielektrika.
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