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Siliziumkarbid-Nanodraht, der in Nano-SiC-Drähten mit Feldemission verwendet wird

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silicon carbide nanowire

Siliziumkarbid-Nanodraht, der in Nano-SiC-Drähten mit Feldemission verwendet wird

Hongwu Nano produziert und liefert seit 2002 Nano-Siliziumkarbidmaterialien, darunter nulldimensionale Partikel und eindimensionale Whisker und Nanodrähte mit verschiedenen Spezifikationen, um unterschiedlichen Anforderungen gerecht zu werden. Gute und stabile Qualität für Materialien für die Serienproduktion.

  • Artikelnummer.:

    D500C

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Produktdetails

Siliziumkarbid-Nanodraht, der in Nano-SiC-Drähten zur Feldemission verwendet wird


Spezifikation:

Name: Siliziumkarbid-Nanodraht (SiC-NWs)

Durchmesser: 100–500 nm

Länge: 20–100 µm

Reinheit: 99 %

Verwandte Materialien: Nano/Submikron/Mikron SiC-Pulver, SiC-Whisker


Vorteile und Anwendungen:

SiC-Nanodrähte verfügen über ausgezeichnete mechanische, elektrochemische und thermische Leitfähigkeitseigenschaften, sodass sie in vielen Bereichen eingesetzt werden können, beispielsweise in der Feldemission, in Verstärkungs- und Verstärkungsmaterialien, in Superkondensatoren, in der Katalyse von Absorptionsgeräten für elektromagnetische Wellen und in anderen Bereichen.

Im Feldemission:
Da Siliziumkarbid-Nanodrähte eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit haben, ihre Bandlückenbreite mehr als 2,3 eV beträgt und ihre Feldemissionsleistung ausgezeichnet ist, können sie in integrierten Schaltkreischips, mikroelektronischen Vakuumgeräten usw. verwendet werden .

Die oben genannten Informationen dienen nur als Referenz. Für weitere Einzelheiten unterliegen sie tatsächlichen Anwendungen und Tests.


Hot-Tag :

SiC-Nanodraht für Feldemission Nano-SiC-Draht für Feldemission Siliziumkarbid-Nanodraht für die Feldemission
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