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99,99 % hochreine Beta-SiC-Nanopulver

Unser 4N-Nano-β-SiC (99,99 % Reinheit) wird präzisionssynthetisiert mittels CVD und zeichnet sich durch ultrafeine Partikelgröße und außergewöhnliche Sinteraktivität für hochdichte Keramikbauteile aus. Es bewährt sich in anspruchsvollsten Halbleiterumgebungen – von CMP-Chucks und Lithographie-Tischen bis hin zu Plasmaätz-Fokusringen und Kammerauskleidungen. Seine chemische Inertheit und minimale Ausgasung von Metallverunreinigungen maximieren die Chipausbeute genau dort, wo es am wichtigsten ist. Weltweit vertrauen führende Halbleiterhersteller und Anlagenbauer auf unser Material.

  • Produktherkunft:

    CN
  • Hafen:

    Shenzhen,Shanghai,Guangzhou
  • Farbe:

    Grey green
  • Vorlaufzeit:

    in stock
  • Zahlung:

    T/T, PAYPAL
Produktdetails
4N-Nano-Siliciumcarbid (β-SiC): Eigenschaften und Anwendungen

99,99 % Beta-SICMaterialübersicht

Nano-Siliziumcarbid (Nano-SiC) ist ein wichtiger Halbleiterwerkstoff der dritten Generation mit großer Bandlücke. Unter seinen Polymorphen zeichnet sich β-Siliziumcarbid (β-SiC, auch bekannt als 3C-SiC) durch eine kubische Kristallstruktur, hohe Reinheit, ultrafeine Partikelgröße und hervorragende Eigenschaften aus. Es dient als Basismaterial für die Herstellung von High-End-Siliziumcarbid-Bauelementen.


99,99 % Beta-SIC Vorbereitungsprozess

Hongwu Nano produziert hochreines Nano-SiC mittels des CVD-Verfahrens (Chemical Vapor Deposition). Durch die präzise Steuerung von Prozessparametern wie Reaktionsgasverhältnissen, Temperatur und Druck lassen sich Pulverreinheit, Partikelgrößenverteilung und Kristallstruktur exakt regulieren. Das Verfahren liefert konstant β-SiC-Nanopulver mit einer Reinheit von über 99,99 % (4N) und erfüllt damit die strengen Reinheitsanforderungen der Halbleiterindustrie.

99.99% Beta SiC Nanopowders

99,99 % Beta-SIC Kernleistungsmerkmale

1. Hervorragende physikalische Eigenschaften

β-SiC weist eine extrem hohe Härte (Mohs-Härte 9,5) auf, die nur von Diamant und kubischem Bornitrid übertroffen wird. Dies verleiht ihm inhärente Vorteile hinsichtlich Verschleißfestigkeit und Präzisionsbearbeitung. Seine Wärmeleitfähigkeit ist exzellent (bis zu 490 W/(m·K)), bei gleichzeitig niedrigem Wärmeausdehnungskoeffizienten und hervorragender Temperaturwechselbeständigkeit. Dadurch behält es seine Strukturstabilität auch in extremen Temperaturumgebungen bei. Darüber hinaus besitzt β-SiC eine moderate Dichte (3,21 g/cm³) und eine außergewöhnlich hohe spezifische Steifigkeit, was die Leichtbauweise von Präzisionsbewegungskomponenten ermöglicht.

2. Ausgezeichnete chemische Stabilität

Hochreines β-SiC zeichnet sich durch hohe chemische Inertheit aus und ist beständig gegen Säure- und Laugenkorrosion sowie durch hervorragende Oxidationsbeständigkeit. In den hochkorrosiven Umgebungen der Halbleiterfertigung bei hohen Temperaturen gewährleistet es langfristig stabile Betriebseigenschaften und verlängert so die Lebensdauer kritischer Bauteile signifikant.

3. Überlegene Halbleitereigenschaften

Als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke weist β-SiC eine Bandlücke von etwa 2,3 eV, eine hohe Sättigungsdriftgeschwindigkeit der Elektronen, eine hohe Durchbruchfeldstärke und eine gute thermische Stabilität auf. Diese Eigenschaften machen es nicht nur als Strukturmaterial, sondern auch für bestimmte Anwendungen in elektronischen Bauelementen wertvoll.

4. Nanoeffekte

Bei der Reduzierung der β-SiC-Partikelgröße auf den Nanometerbereich zeigt das Material signifikante Oberflächeneffekte, Größeneffekte und Quanteneffekte. Nanopulver weisen extrem große spezifische Oberflächen und eine hohe Sinteraktivität auf, was ein Verdichtungssintern bei relativ niedrigen Temperaturen ermöglicht – vorteilhaft für die Herstellung von hochleistungsfähigen, hochdichten Siliciumcarbid-Keramikbauteilen.


99,99 % Beta-SIC Primäres AnwendungsgebietS

1. Kritische Komponenten in Halbleiterfertigungsanlagen

In verschiedenen Phasen der Halbleiterchip-Herstellung spielen Präzisionsbauteile, die aus hochreinem, ultrafeinem β-SiC-Pulver gesintert werden, eine unersetzliche Rolle:

Schleif-/Polierfutter: Bei Wafer-Substratschleif- und chemisch-mechanischen Polierprozessen (CMP) nutzen SiC-Spannfutter ihre hohe Härte, hohe Planheit und ausgezeichnete Verschleißfestigkeit, um eine stabile und zuverlässige Unterstützung und Vakuumhalteplattformen für Wafer zu bieten und so die Bearbeitungsgenauigkeit und Oberflächenqualität zu gewährleisten.

Lithographie-Chucks: In der Fotolithografie werden SiC-Chucks zur präzisen Fixierung und Positionierung von Wafern eingesetzt. Ihr extrem niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient gewährleistet Dimensionsstabilität unter komplexen thermischen Bedingungen und somit die hochpräzise Übertragung lithografischer Strukturen.

Inspektionsspannfutter: Bei der Waferinspektion bieten SiC-Spannfutter stabile Waferladeplattformen für verschiedene optische und elektrische Inspektionsgeräte. Ihre hohe Steifigkeit und geringen Vibrationseigenschaften tragen zur Verbesserung der Inspektionsauflösung und -zuverlässigkeit bei.

Präzisions-Bewegungssysteme: Präzisions-Bewegungssysteme in Halbleiteranlagen stellen extrem hohe Anforderungen an Materialsteifigkeit, thermische Stabilität und Leichtbauweise. Siliziumkarbidkeramiken sind aufgrund ihrer hohen spezifischen Steifigkeit, geringen Wärmeausdehnung und hervorragenden Dämpfungseigenschaften ideale Werkstoffe für die Herstellung hochpräziser Linearmotorführungen, Luftlagerkomponenten und anderer Bewegungsbauteile.

Hochreine SiC-Komponenten für Ätzprozesse: Bei Plasmaätzprozessen sind die Anlagenteile stark korrosiven Gasen und Hochtemperaturplasma ausgesetzt. Hochreine SiC-Komponenten (z. B. Fokusringe, Gasverteilerplatten, Kammerauskleidungen) gewährleisten durch ihre Korrosionsbeständigkeit, Beständigkeit gegen Plasmabeschuss und geringe Ausgasung von Metallverunreinigungen effektiv eine gleichmäßige Ätzung und eine hohe Chipausbeute.

Präzisionsbewegungssysteme für Verpackung und Prüfung: In der Chipverpackung und den abschließenden Prüfungsphasen werden SiC-Werkstoffe verwendet, um hochpräzise Pick-and-Place- und Transfermechanismen herzustellen, die die Genauigkeit der Verpackung und die Stabilität der Prüfung gewährleisten.

2. Anwendungen in der Photovoltaikindustrie

Bei der Herstellung von Photovoltaik-Siliziumwafern sind SiC-Paddel wichtige tragende Bauteile in Hochtemperatur-Wärmebehandlungsanlagen wie Diffusions- und Glühöfen. SiC-Paddel, gesintert aus hochreinem, ultrafeinem β-SiC-Pulver, zeichnen sich durch hohe Temperaturbeständigkeit, Formstabilität und geringe Verunreinigung aus. Sie tragen die Siliziumwafer auch bei längerem Hochtemperaturbetrieb stabil und verhindern so effektiv Metallverunreinigungen. Dadurch werden der Wirkungsgrad und die Produktqualität der Photovoltaikzellen sichergestellt.

3. Weitere High-End-Anwendungsbereiche

Neben den oben genannten primären Anwendungen findet hochreines Nano-β-SiC-Pulver auch breite Anwendung in Hochtemperatur-Strukturbauteilen für die Luft- und Raumfahrt, in strahlungsbeständigen Materialien für die Nuklearindustrie, in High-End-Lagern und -Dichtungen sowie in speziellen optischen Fenstern, was ein breites Entwicklungspotenzial aufzeigt.


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